APT45GP120JDQ2

功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227

RoHS:

类别:半导体模块 >> IGBT

系列:POWER MOS 7®

标准包装:10

系列:GenX3™

IGBT 类型:PT

配置:单一

电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V

Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A

电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A

电流 - 集电极截止(最大):100µA

Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V

功率 - 最大:1000W

输入:标准

NTC 热敏电阻:

安装类型:底座安装

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC

供应商设备封装:SOT-227B

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